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4月4日新闻，克日，镓仁半导体宣布完成数万万天使轮融资。本轮由蓝驰创投领投，禹泉资源跟投。融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底质料新方式及中试线研发。

杭州镓仁半导体有限公司确立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延质料研发、生产和销售的科技型企业。公司开创了非导模法氧化镓单晶生长新手艺，突破了国际市场对氧化镓质料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底质料。公司首创团队源自浙江大学硅质料国家重点实验室和浙江大学杭州国际科创中央。现在，公司已形成一支以中科院院士为首席照料的研发和生产团队，将连续为我国电力电子等产业的生长提供质料保障。

随着2018年特斯拉接纳碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化镓最先，宽禁带质料碳化硅、氮化镓获得市场认可迎来生长时机，并逐渐重新能源车、消费电子等热门场景向更多拓展场景探索。在宽禁带半导体生长得如火如荼之际，氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体质料也最先受到关注。其中，氧化镓( Ga2O3 )是被国际普遍关注并认可已开启产业化的超宽禁带半导体质料。据日本富士经济展望，未来10年氧化镓及器件的年复合增进率将跨越50%，在高功率、高电流、高压器件领域拥有伟大优势，同时在中压功率器件及射频器件方面将对现在SiC，GaN和Si IGBT发生有力竞争，其在节能、性能改善、体积缩小等方面拥有焦点优势。

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高质量、低成本的氧化镓单晶衬底是整个产业链的要害，现在全球只有一家公司可稳固供货。其接纳的是导模法生产和制备氧化镓衬底。然而由于导模法需要大量的铱金属，氧化镓晶圆价钱高居不下；同时导模法存在大的温度梯度，使得氧化镓的质量难以进一步提升，严重阻碍了其器件的迭代研发。镓仁半导体开创了新的氧化镓单晶生长手艺，在成本控制、尺寸放大、质量提升以及智能制造等方面具有极其显著优势，有望推动氧化镓质料和器件产业的生长。

镓仁半导体首创人张辉示意，由于对电力高效使用的迫切需求，我国功率器件及质料产业将迎来加倍速速的生长。镓仁半导体团队经由多年的攻关，已掌握从装备开发、热场设计、晶体生长、晶体加工、外延生长等全套的要害手艺，有望破解氧化镓质料的“卡脖子”难题。

蓝驰创投示意：“海内新能源汽车、新型电力系统等领域的快速生长，对功率半导体质料和器件提出了越来越高的要求。而氧化镓作为超宽禁带半导体质料，其器件在高压高功率场景具备优越显示和产业化远景。同时，氧化镓的理论成本较低，有望成为未来高性价比功率半导体质料的首选。镓仁半导体团队具备多年半导体质料生长履历，已成为海内氧化镓领域的主要气力之一。蓝驰创投信托，在杨德仁院士和张辉教授的向导下，镓仁科技有望成为海内氧化镓领域的领军企业，进一步增强在宽禁带半导体质料和器件领域的竞争优势。”

禹泉资源治理合资人沙漠川示意：“我们看到随着半导体质料以及应用的蓬勃生长，在中高压领域（800V以上），轨道交通、新能源汽车、电力传输等领域中，更高品质的、更低成本、更低电能消耗的器件是市场的刚性需求，而氧化镓可通过熔体法生长，未来生产成本远低于气相生长的碳化硅及氮化镓，氧化镓莫氏硬度同硅靠近，远低于碳化硅，异常容易加工，同时器件性能在高压、高电流能有更优异的显示，未来在这些领域同碳化硅、氮化镓形成一定的竞争和替换。我们异常看好镓仁半导体的首创团队，并信托在杨德仁院士及张辉教授的率领下，能够进一步推动氧化镓单晶衬底的产业化，推动氧化镓在半导体领域更大规模的应用。